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LED 芯片封裝技術

產品應用 LED 芯片封裝技術
基板芯片封裝工藝技術有兩種形式: 一種是板上芯片封裝(COB)技術,它採用了絲焊的
方法在硅片和基底之間用引線直接建立電極連接,並用樹脂覆蓋保護以确保它的可靠性。
但它的封裝密度遠不及倒片焊封裝技術。
- 另一種是倒裝芯片(FLIP CHIP)技術,一種無引腳錶面封裝結構,一般含有電路單元,
設計用於通過適當數量的位於其面上的錫球,在電氣上和機械上連接於電路,然後將芯片
翻轉加熱利用熔接的錫鉛球與基板結合,此封裝熔接技術替換了常規打線連接電極的方法
- ,將漸會是未來的LED芯片封裝主流。
COB相比, FLIP CHIP封裝形式的芯片結構和輸入/(I/O)(焊鍚球)方向朝下,
原於I/O引端分佈於整個芯片錶面,故在封裝密度和處理速度上 FLIP CHIP 己達最佳效果
- ,特別是它可以採用SMT技術的手段來加工,因此是LED芯片封裝技術及高蜜度安裝的最
終使用方法。FLIP CHIP 封裝技術與傳統的COB的引線結合工藝相比具有許多明顯的
優點,包括優越的電學及熱學性能,高I/O引腳數,封裝尺寸更小。
 
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TVS 二極體 優勢

     瞬態電壓抑制二極體 (TVS) 

¾ TVS 二極體 優勢

 

適用於可攜式設備的ESD保護元件有很多,例如設計人員可用分離元件搭建保護迴路,但由於可攜設備
對於空間的限定以及避免迴路自感,這種方法已逐漸被更加整合化的元件所替代。多層金屬氧化
物元件、陶瓷電容器還有二極體都可以有效地進行防護,它們的特性及表現各有不同,TVS二極體
在此類應用中的獨特表現為其贏得了越來越大的市場。
參數符號說明:
電容: CPP
漏電流: IR
轚穿電壓: VBR
最大箝位電壓: VC (Max.)  
最大反向工作電壓: VRWM 
反向脈衝峰值功率: Pppm
最大反向脈衝峰值電流: Ippm