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Bridge Rectifier TB1S - TB10S

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小型化蕭特基二極管 TB1S ~ TB10S
Voltage Range: 100V-1KV 1.0A Surface Mount Glass Passivated Bridge Rectifier
                       
  PDF File  TB1S - TB10S  100V-1000V 1.0A  
FEATURE:     MECHANICAL CHARACTERISTICS:   
High reliability  Case: TB-S Molded Plastic   
Low forward voltage drop    Weight: 0.10 Grams (approx)   
High surge current capability Marking:   Type number    
Glass passivated die construction     Polarity:  As marked on case    
Ultra-slim 1.5mm max. case height    Terminals: Plated leads solder able per
Designed for surface mount application  MIL-STD-202, Method 208.
Plastic Material - UL Recognition Flammability Lead Free for Rohm / Lead free version
Classification 94V-0    and "LF" suffix to part number.
                       
Maximum Ratings and Data specification @TA=25 unless otherwise specified
SINLOON
Sigle, phase half wave 60Hz resistive or inductive load, for capacitive load, derate current by 20%.
Parameter at Tamb = 25 Symbol  Part Code Unit
TB1S TB2S TB4S TB6S TB8S TB10S
DC Blocking Voltage: VR 100 200 400 600 800 1000 V
Peak Repetitive Reverse Voltage VRRM
Working Peak Reverse Voltage VRWM
RMS Reverse Voltage VR(RMS) 70 140 280 420 560 700 V
Average Rectified Output Current @TA=25 (1) Io 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 A
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms Single  IFSM 30 30 30 30 30 30 A
half sine-wave superimposed on rated load (JEDC Method)
Forward Voltage Diode   @IF = 0.4A   VFM 0.95 0.95 0.95 0.95 0.95 0.95 V
 @IF = 1.0A   1.10 1.10 1.10 1.10 1.10 1.10
Peak Reverse Current        @TA = 25 IRM 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 μA
At Rated DC Blocking Voltage @TA = 125 500 500 500 500 500 500
Typical Junction Capacitance per leg (2) Cj 10.0 10.0 10.0 10.0 10.0 10.0 pF
Thermal resistance junction to ambient (1) RθJA 62.5 62.5 62.5 62.5 62.5 62.5 /W
Thermal resistance junction to lead (3) 25 25 25 25 25 25
Operating and Storage Temperature Range TJ,TSTG. -50 to +150
Note1 : Mounted on aluminum substrate PCB with 1.3x1.3mm pad areas.   Return to Schottky Diode First Page
Note2: Measure at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC  
Note3: Mounted on glass epoxy PCB with 1.3x1.3mm pad areas.  

Diode

 
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無極燈發光原理

HFED 無極燈發光原理

 

無極燈工作原理 無極燈-產品原理

無極燈

無極燈-工礦燈

高頻無極燈由高頻發生器、耦合器和燈泡三部分組成。它是通過高頻發生器的電磁場以感應的方式耦合到燈內,使燈泡內的氣體雪崩電離,形成等離子體。等離子受激原子返回基態時輻射出紫外線。燈泡內壁的熒光粉受到紫外線激發產生可見光。採用熒光燈氣體放電和高頻電磁感應兩個原理結合的一種新型光源,具有高發光率、高顯色性、無頻閃、低能耗的優點。

發光原理是:在輸入一定範圍的電源電壓后,高頻發生器產生2.65MHZ高頻恆電壓送給功率耦合器,由功率耦合器在玻殼的放電空間內建立靜電強磁場,對放電空間內的大氣進行電離,並生產強紫外光,玻璃泡殼內壁的三基色熒光粉受強紫外光激勵發光。

在電源設計上,由於採用APFC電源控制技術和採用IC技術,一方面使得電源的功率因數高達0.95以上;另一方面使得高頻發生器始終以高頻恆電壓點燈。所以,輸入的電源電壓在一定範圍內波動時,其發光亮度均不變。

無電極熒光燈 (無極燈)

無電極熒光燈系統是基於電磁感應的原理,使等離子體與電路磁力線耦合,利用套在燈管外面的一對鐵芯在燈管內形成感應電流,而不像普通熒光燈一樣,利用電極將外部的電能轉化為燈內部工作所需要的能量。套在燈管外面的一對鐵芯的作用猶如變壓器的初級線圈,而閉合的燈管的作用猶如變壓器的次級線圈。電子鎮流器可根據需要,與燈管分開安裝,距離為020米。在接通電源后,電子鎮流器會產生>1.5MHZ以上工作頻率的交變電流,從而在放電區產生交流磁場。耕具法拉第電磁感應定律,變化的磁場會在燈管內產生感應電流,從而使低壓汞和惰性氣體的混合蒸汽產生放電,輻射出253.7nm的紫外線,再通過熒光粉轉化為可見光。

由於無極燈沒有電極,燈管部分不存在與易損元件,整個系統的壽命主要取決於電子鎮流器,所以這類燈的壽命非常長,可達到6萬小時以上。特別適用於換燈困難且費用昂貴的場所以及對安全要求及高的重要場所。如隧道、交通複雜地帶、地鐵站、天花板很高的廠房、危險地域照明、大廳、運動場等。