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MMBT5550 SOT-23 (NPN)

  Transistor  NPN General Purpose Amplifier SOT-23 

 

    PDF File SOD-23 MMBT5550   

 
Maximum Ratings  @TA=25 unless otherwise noted
Parameter Symbol Value Units
Collector-Base Voltage VCBO 160 V
Collector-Emitter Voltage VCEO 140 V
Emitter-Base Voltage VEBO 6.0 V
Collector Current - Continuous IC 600 mA
CollectorPower Dissipation PC 225 mW
Junction Temperature Tj 150
Storage Temperature Tstg -55~150
Thermal Resistance From Junction to Ambient TθJA 556 /W
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感測電阻在電路中之應用

Current Sension Chip Resistor  按此還有更多 感測電阻在電路中之應用

在電流路徑中以串聯的方式插入一個低電阻值的感測電阻,將會形成一個較小的壓降,該壓降可被放大而成為一個與電流成正比的輸出訊號。然而,根據實際應用環境與感測電阻的位置,這一技術可能對感測放大器帶來各種挑戰。例如,將感測電阻放在負載與電路接地之間,那麼所形成的壓降可採用簡單的運算放大器(OP)進行放大。這種方法被稱為低側電流感測,與其相對應的方法為高側感測,即感測電阻位於供電電源和負載之間。 

Figure Circuit CS

電流的感測一般採用兩種基本方案。一種是測量電流流過的導體周圍磁場,另一種是在電流路徑中插入一個小型電阻,然後測量電阻上的壓降。第一種方法並不會引起干擾或插入損耗,但成本相對較為昂貴,而且容易產生非線性效應與溫度係數誤差。因此磁場感測技術通常只局限於一些能夠承擔無插入損耗的高成本應用。