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Melf Metal Oxide Resistor

金屬氧化膜晶圓電阻 Resistor - MELF Resistor

 

Melf Metal Oxide Resistor - MMO  (金屬氧化膜晶圓電阻)

PDF File Data Spec Melf Metal Oxide Resistor - MMO

脈衝型 MAS 碳膜 MCF 金屬膜 MMF 高壓型 MMG 氧化膜 MMO 高精密 MPM 保險絲電阻FRM
Resistor RATED SPECIFICATION
Type Size Power Maxinmun Voltage Resistance (E24)Range (Ω)
型號 尺寸 功率 Working Overload ±2% ±5%
V-MMO07 0207 1/4W 250V 500V 0.5R~56K 0.5R~56K
U-MMO07S 0207 1/2WS 300V 500V 0.5R~56K 0.5R~56K
U-MMO09 0309 1/2W 350V 600V 0.5R~82K 0.5R~82K
S-MMO09 0309 1WS 350V 600V 0.5R~82K 0.5R~82K
S-MMO11 0411 1W 400V 700V 0.5R~100K 0.5R~100K
Q-MMO11 0411 2WS 400V 700V 0.5R~100K 0.5R~100K
N-MMO15 0515 3WS 400V 800V 0.5R~120K 0.5R~120K

 

STANDARD RESISTANCE VALUE IN A DECADE (標準電阻器阻值)
E24 10 11 12 13 15 16 18 20 22 24 27 30 33 36 39 43 47
51 56 62 68 75 82 91
E96 100 102 105 107 110 113 115 118 121 124 127 130 133 137 140 143 147
150 154 158 162 165 169 174 178 182 187 191 196 200 205 210 215 221
226 232 237 243 249 255 261 267 274 280 287 294 301 309 316 324 332
340 348 357 365 374 383 392 402 412 422 432 442 453 464 475 487 499
511 523 536 549 562 576 590 604 619 634 649 665 681 698 715 732 750
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電感電性功能及特性

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 電感在電路中的電性功能及特性

T    消除噪音的根本辦法是使DC/DC變換器的頻率處於音訊範圍外，對於PWM/PFM自動切換的變換器來說，採用大電感可以使系統在電流很低的情況下保持在連續工作模式，但是這與我們要提高輕載時的效率的初衷相違背，況且大電感也帶來了體積的增大和成本的增加，另外增大電感還減慢了變換器的反應時間，使變換器的動態性能變差，特別是筆記型電腦的CPU供電和一些手持設備的CPU都瞬間從低功耗模式切換到全速工作模式，因此都要求電源有很高的動態響應性能。另一種方法是減少輸出電容器量，使輸出電壓更快地跌落到閘限電壓以下，以提高間歇頻率，例如低功耗時工作頻率處於10kHz，把輸出電容器減少一半可以使頻率增加一倍，變為20kHz，因而消除音訊噪音。但需要注意的是，減少輸出電容器會對DC/DC變換器的穩定性造成影響，應該重新運算相位補償的RC參數。另一方面，某些需要大動態電流變化的負載要求要足夠的電容器，不允許輸出電容器太小。

本公司提供表面封裝貼片型的電感器,小型封裝型號分別有0402/0603/0805/1008/1206  更多資料請瀏覽本司網站.

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