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Gold Capacitor K-DCL

Electric Double Layer Capacitor - (金電容)
(5.5V) 1.0F/1.5F
C-Type H-Type V-Type
PDF File  Data Spec Gold Capacitor K-DCL (5.5V) Series 產品應用
Features: (特性) Electric double layer capacitor
Voltage (5.5V) and highly reliable (高壓及可靠) 雙電層電容器,被稱為 "黃金電容"
Smaller and lighter then K-DCL Series (更小更輕系列) 它提供所有電容器技術最高的容
Wide temperature range (-25~85) than battery 積效率,不依靠化學反應產生電量.
makes periodic change unnecessary. 它利用吸收/釋放的離子反應特性
溫度範圍由(-25~85),不必要如電池需要周期性更換. 成為一個儲存單元,被比作儲電池.
Specification SINLOON®
Part No. Type Capacitor Voltage ESR Operature Temperature C-Type H-Type V-Type
K-DCL-5R5-105 1.0 F 5.5V 30 Ω -25 ~ +70
K-DCL-5R5-155 1.5 F 5.5V 30 Ω
K-DCLH-6R3-474 0.47 F 6.3V 50 Ω -25 ~ +85
K-DCLH-6R3-684 0.68 F 6.3V 50 Ω
K-DCLH-6R3-105 1.0 F 6.3V 50 Ω
K-DCLT-3R6-105 1.0 F 3.6V 30 Ω -25 ~ +85
K-DCLT-5R5-474 0.47 F 5.5V 50 Ω
K-DCLT-5R5-684 0.68 F 5.5V 50 Ω
K-DCLT-5R5-105 1.0 F 5.5V 50 Ω
K-DCS-5R5-473 0.047 F 5.5V 120 Ω -25 ~ +70
K-DCS-5R5-104 0.1 F 5.5V 75 Ω
K-DCS-5R5-224 0.22 F 5.5V 75 Ω
K-DCS-5R5-334 0.33F 5.5V 50 Ω
K-DCS-5R5-474 0.47 F 5.5V 50 Ω
K-DCST-3R6-473 0.047 F 3.6V 75 Ω -25 ~ +85
K-DCST-3R6-334 0.033 F 3.6V 50 Ω

 

 
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Newsflash

LED 芯片封裝技術
產品應用 LED 芯片封裝技術
基板芯片封裝工藝技術有兩種形式: 一種是板上芯片封裝(COB)技術,它採用了絲焊的
方法在硅片和基底之間用引線直接建立電極連接,並用樹脂覆蓋保護以确保它的可靠性。
但它的封裝密度遠不及倒片焊封裝技術。
- 另一種是倒裝芯片(FLIP CHIP)技術,一種無引腳錶面封裝結構,一般含有電路單元,
設計用於通過適當數量的位於其面上的錫球,在電氣上和機械上連接於電路,然後將芯片
翻轉加熱利用熔接的錫鉛球與基板結合,此封裝熔接技術替換了常規打線連接電極的方法
- ,將漸會是未來的LED芯片封裝主流。
COB相比, FLIP CHIP封裝形式的芯片結構和輸入/(I/O)(焊鍚球)方向朝下,
原於I/O引端分佈於整個芯片錶面,故在封裝密度和處理速度上 FLIP CHIP 己達最佳效果
- ,特別是它可以採用SMT技術的手段來加工,因此是LED芯片封裝技術及高蜜度安裝的最
終使用方法。FLIP CHIP 封裝技術與傳統的COB的引線結合工藝相比具有許多明顯的
優點,包括優越的電學及熱學性能,高I/O引腳數,封裝尺寸更小。