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Switching Diode

Go to Zener Diode Return to First 返回首頁Go to TVS Go to Schottky Diode (肖特基二極管) 更多 ¾ Chip Switching Diode – Type Case

有圖 SOT-23   有圖 SOT-323  有圖 SOD-123  有圖

PPT Chip Switching Diode

二極管

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1 Chip Diode Mounting Pad Layout 電路佈局 32865
2 CD4148WTN SMD -0603 0.1A90V 40326
3 CD4148WP SMD -1206 0.15A75V 66548
4 CDBAV99 SOT-23 0.2A70V 49885
5 CD4148WN SMD-1206 0.15A100V 40546
6 CDB0230T SMD-0603 0.2A30V 40687
7 CDBAW56 SOT-23 0.2A70V 49352
8 CDBAV70 SOT-23 0.2A70V 51598
9 CDBAV21W SMD-1206 0.2A200V 42746
10 CDBAV21WS SMD-0805 0.2A200V 41828
11 CDB0230M SMD-0402 0.2A30V 30837
12 CDB0230L SMD-0402 0.2A30V 30262
13 CD4148WSN SMD-0805 0.15A100V 40249
14 CD4148WSP SMD-0805 0.15A75V 41033
15 Chip Switching Diode 貼片二極管系列 35727
16 CD4148WTP SMD-06030 0.15A75V 40362
17 IN4148W SOD-123 0.15A75V 45208
18 BAV19WS - BAV21WS SOD - 323 35360
19 MMBD4148 SOT-23 0.2A75V 38657
20 BAV99 SOT-23 0.15A75V 38763
 
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薄膜電阻和厚膜電阻的最大區別

 產品應用   薄膜電阻和厚膜電阻的最大區別在那裡?

薄膜電阻和厚膜電阻的最大區別
1. 膜厚的區別: 厚膜電路的膜厚一般大於10μm,薄膜的膜厚小於10μm,大多處於小於1μm.
2. 製造工藝的區別: 厚膜電路一般採用絲網印刷工藝,薄膜電阻採用的是真空蒸發,磁控濺射等工藝方法。
3. 厚膜電阻和薄膜電阻在材料和工藝上的區別直接導致了兩種電阻在性能上的差異。厚膜電阻一般精度
較差,±10%,±5%,±1%是常見精度,而薄膜電阻則可以做到±0.01%萬分之一精度,±0.1%千分之一精度等。
 同時厚膜電阻的溫度係數上很難控制,一般較大,同樣的,薄膜電阻則可以做到非常低的溫度係數至±5ppm,這樣
電阻阻值隨溫度變化非常小,阻值穩定可靠.所以薄膜電阻常用於各類儀器儀錶,醫療器械,電源,電力設備.
電子數碼產品等。 
應用                    
薄膜電阻的應用廣泛,對於任意面積遠大於厚度的情形,比如薄膜物理或者半導體產業中,常有奈米級厚度的
薄膜被沉積到晶片上,如果關心這些薄膜的電阻阻值大小時,就需使用薄膜電阻這一概念。例如,在發光二極體
的製造中,二極體PN結上作為電極而沉積的金屬的阻值很大程度影響了發光二極體的發光效率,因此需要最小化
金屬半導體的接觸電阻,利用四腳探針測量法以及傳輸線模型(Transmission Line Model)測量法,即可確定接觸
電阻的大小和金屬下方半導體層的薄膜電阻阻值。