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Mayloon Electronic Company Limited

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1 IN5817 - IN5819 DO-41 1A 20V-40V 37102
2 SR22 - SR210 SMA 2A (20V-100V) 29554
3 SB220S - SB2100S DO-41 2A (20V-100V) 29083
4 SB520 - SB5100S DO-201AD 5A (20V-100V) 29543
5 SB8150FCT-SB8200FCT ITO-220 8A (150V-200V) 30085
6 SB8150F-SB8200F ITO-220A 8A 150V-200V 29240
7 SB8150DC-SB8200DC TO-263 8A 150V-200V 29652
8 SB8150CT-SB8200CT TO-220 8A 150V-200V 29779
9 SB8150-SB8200 TO-220A 8A 150V-200V 29465
10 SB820FCT-SB8100FCT ITO-220 8A 20V-100V 31390
11 SB820CT-SB8100CT TO-220 8A 20V-100V 29830
12 SB820D-SB8100D TO-263 8A 20V-100V 28811
13 SB820F-SB8100F ITO-220A 8A 20V-100V 28069
14 SB820DC-SB8100DC TO-263 8A 20V-100V 28395
15 SB820-SB8100 TO-220A 8A 20V-100V 27933
16 SD1030-SD1045 DO-201AD 10A 30V-45V 28705
17 SB10150CT-SB10200CT TO-220 10A 150V-200V 33891
18 SB1050F-SB10200F ITO-220A 10A 150V-200V 25502
19 SB10150DC-SB10200DC TO-263 10A 150V-200V 31934
20 SB10150FCT-SB10200FCT ITO-220 10A 150V-200V 34298
 
第 1 頁, 共 3 頁
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薄膜電阻和厚膜電阻的最大區別

 產品應用   薄膜電阻和厚膜電阻的最大區別在那裡?

薄膜電阻和厚膜電阻的最大區別
1. 膜厚的區別: 厚膜電路的膜厚一般大於10μm，薄膜的膜厚小於10μm，大多處於小於1μm.
2. 製造工藝的區別: 厚膜電路一般採用絲網印刷工藝，薄膜電阻採用的是真空蒸發,磁控濺射等工藝方法。
3. 厚膜電阻和薄膜電阻在材料和工藝上的區別直接導致了兩種電阻在性能上的差異。厚膜電阻一般精度
較差，±10%,±5%,±1%是常見精度，而薄膜電阻則可以做到±0.01%萬分之一精度,±0.1%千分之一精度等。
 同時厚膜電阻的溫度係數上很難控制,一般較大,同樣的,薄膜電阻則可以做到非常低的溫度係數至±5ppm，這樣
電阻阻值隨溫度變化非常小,阻值穩定可靠.所以薄膜電阻常用於各類儀器儀錶，醫療器械,電源,電力設備.
電子數碼產品等。 
應用 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　
薄膜電阻的應用廣泛，對於任意面積遠大於厚度的情形，比如薄膜物理或者半導體產業中，常有奈米級厚度的
薄膜被沉積到晶片上，如果關心這些薄膜的電阻阻值大小時，就需使用薄膜電阻這一概念。例如，在發光二極體
的製造中，二極體PN結上作為電極而沉積的金屬的阻值很大程度影響了發光二極體的發光效率，因此需要最小化
金屬半導體的接觸電阻,利用四腳探針測量法以及傳輸線模型（Transmission Line Model）測量法,即可確定接觸
電阻的大小和金屬下方半導體層的薄膜電阻阻值。