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CD4148WN

Chip Switching Diode CD4148WN (1206 100V 0.15A)

PDF File CD4148WN (1206 100V 0.15A)

CD FEATUR

  • Silicon epitaxial planar diode
  • Surface comut patern , available in various dimension included 0805 & 0603
  • Lead free and RoHS compliance components
  • Fast AC switching input as rectified circuit and high reverse voltage location

直流輸入和高電壓位置電路圖 And location of high voltage DC input circuit

高電壓位置電路圖 Location of high voltage circuit

ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Parameter at Tamb = 25 Symbol Value Unit
Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM (VPK) 100 V
Forward Continuous Current amb=25 IFRM 300 mA
Average rectified current sin half wave rectification with resistive load IF(AV) 150 mA
Non-Repetitive Surge Forward Current IFSM mA
at t<1s and and Tj=25; 500
at t8.3ms and Tj=25. 1000
Forward Power Dissipation Ptot 400 mW
Power derating above 25. 3.2 mW/
Forward Voltage at IF=10mA VF 1.0 max V
Forward Voltage at IF=100mA 1.25 max
Leakage Current at VR=20V IR 25 max nA
Leakage Current at  VR=75V 0.5 max μA
Capacitance at VR=0V, f=1MHz. Ctot 4 max pF
Voltage rise when switching ON, Testes with 50mA pulses, TP=0.1us, risetime <20ns,  Fp=(5-100)KHz. Vfr 2.5 max V
Reverse Recovery Time at IF=100mA to IR=1mA, VR=V6, RL=100Ω TRR 4.0 max ns
Rectification efficiency at f=100MHz, VRF=2V nr 45 min %
1. Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature.

 

Parameter at Tamb = 25 (貼片二極管特性參數) SINLOON®
型號 類型 VRRM IFSM IF(AV) 型號 類型 VRRM IFSM IF(AV)
Part No. Type (V) (mA) (mA) Part No. Type (V) (mA) (mA)
BAV19WS SOD-323 100V 250 400 CD4148WSN 0805 100 500 150
BAV20WS SOD-323 150V 250 400 CD4148WSP 0805 75 500 150
BAV21WS SOD-323 200V 250 400 CD4148WTN 0603 90V 500 150
BAV56 SOT-23 75 200 300 CD4148WTP 0603 75 500 150
BAV56W SOT-323 75 200 300 CDBAV21W 1206 200 500 200
BAV70 SOT-23 75 200 300 CDBAV21WS 0805 200 500 200
BAV70W SOT-323 75 200 300 CDBAW56 SOT-23 70 200 200
BAV99 SOT-23 75 200 300 CDBAV70 SOT-23 70 200 200
BAV99W SOT-323 75 200 300 CDBAV99 SOT-23 70 200 200
CD4148WN 1206 100 500 150 IN4148W SOD-123 75 200 150
CD4148WP 1206 75 500 150 MMBD4148 SOT-23 75 200 300

Reture to Chip Diode

CD4148

最近更新在 週四, 10 三月 2016 13:03  
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薄膜電阻和厚膜電阻的最大區別

 產品應用   薄膜電阻和厚膜電阻的最大區別在那裡?

薄膜電阻和厚膜電阻的最大區別
1. 膜厚的區別: 厚膜電路的膜厚一般大於10μm,薄膜的膜厚小於10μm,大多處於小於1μm.
2. 製造工藝的區別: 厚膜電路一般採用絲網印刷工藝,薄膜電阻採用的是真空蒸發,磁控濺射等工藝方法。
3. 厚膜電阻和薄膜電阻在材料和工藝上的區別直接導致了兩種電阻在性能上的差異。厚膜電阻一般精度
較差,±10%,±5%,±1%是常見精度,而薄膜電阻則可以做到±0.01%萬分之一精度,±0.1%千分之一精度等。
 同時厚膜電阻的溫度係數上很難控制,一般較大,同樣的,薄膜電阻則可以做到非常低的溫度係數至±5ppm,這樣
電阻阻值隨溫度變化非常小,阻值穩定可靠.所以薄膜電阻常用於各類儀器儀錶,醫療器械,電源,電力設備.
電子數碼產品等。 
應用                    
薄膜電阻的應用廣泛,對於任意面積遠大於厚度的情形,比如薄膜物理或者半導體產業中,常有奈米級厚度的
薄膜被沉積到晶片上,如果關心這些薄膜的電阻阻值大小時,就需使用薄膜電阻這一概念。例如,在發光二極體
的製造中,二極體PN結上作為電極而沉積的金屬的阻值很大程度影響了發光二極體的發光效率,因此需要最小化
金屬半導體的接觸電阻,利用四腳探針測量法以及傳輸線模型(Transmission Line Model)測量法,即可確定接觸
電阻的大小和金屬下方半導體層的薄膜電阻阻值。