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Mayloon Electronic Co., Ltd.,

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CD4148WN

Chip Switching Diode CD4148WN (1206 100V 0.15A)

PDF File CD4148WN (1206 100V 0.15A)

CD FEATUR

  • Silicon epitaxial planar diode
  • Surface comut patern , available in various dimension included 0805 & 0603
  • Lead free and RoHS compliance components
  • Fast AC switching input as rectified circuit and high reverse voltage location

直流輸入和高電壓位置電路圖 And location of high voltage DC input circuit

高電壓位置電路圖 Location of high voltage circuit

ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Parameter at Tamb = 25 Symbol Value Unit
Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM (VPK) 100 V
Forward Continuous Current amb=25 IFRM 300 mA
Average rectified current sin half wave rectification with resistive load IF(AV) 150 mA
Non-Repetitive Surge Forward Current IFSM mA
at t<1s and and Tj=25; 500
at t8.3ms and Tj=25. 1000
Forward Power Dissipation Ptot 400 mW
Power derating above 25. 3.2 mW/
Forward Voltage at IF=10mA VF 1.0 max V
Forward Voltage at IF=100mA 1.25 max
Leakage Current at VR=20V IR 25 max nA
Leakage Current at  VR=75V 0.5 max μA
Capacitance at VR=0V, f=1MHz. Ctot 4 max pF
Voltage rise when switching ON, Testes with 50mA pulses, TP=0.1us, risetime <20ns,  Fp=(5-100)KHz. Vfr 2.5 max V
Reverse Recovery Time at IF=100mA to IR=1mA, VR=V6, RL=100Ω TRR 4.0 max ns
Rectification efficiency at f=100MHz, VRF=2V nr 45 min %
1. Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature.

 

Parameter at Tamb = 25 (貼片二極管特性參數) SINLOON®
型號 類型 VRRM IFSM IF(AV) 型號 類型 VRRM IFSM IF(AV)
Part No. Type (V) (mA) (mA) Part No. Type (V) (mA) (mA)
BAV19WS SOD-323 100V 250 400 CD4148WSN 0805 100 500 150
BAV20WS SOD-323 150V 250 400 CD4148WSP 0805 75 500 150
BAV21WS SOD-323 200V 250 400 CD4148WTN 0603 90V 500 150
BAV56 SOT-23 75 200 300 CD4148WTP 0603 75 500 150
BAV56W SOT-323 75 200 300 CDBAV21W 1206 200 500 200
BAV70 SOT-23 75 200 300 CDBAV21WS 0805 200 500 200
BAV70W SOT-323 75 200 300 CDBAW56 SOT-23 70 200 200
BAV99 SOT-23 75 200 300 CDBAV70 SOT-23 70 200 200
BAV99W SOT-323 75 200 300 CDBAV99 SOT-23 70 200 200
CD4148WN 1206 100 500 150 IN4148W SOD-123 75 200 150
CD4148WP 1206 75 500 150 MMBD4148 SOT-23 75 200 300

Reture to Chip Diode

CD4148

最近更新在 週四, 10 三月 2016 13:03  
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Newsflash

半導體二極管基礎及檢測方法

 產品應用  半導體二極管基礎及檢測方法:

1.二極體的主要參數            
正向電流IF:在額定功率下,允許通過二極體的電流值。       
正向電壓降VF:二極體通過額定正向電流時,在兩極間所産生的電壓降。     
最大整流電流(平均值)IOM:在半波整流連續工作的情況下,允許的最大半波電流的平均值。  
反向擊穿電壓VB:二極體反向電流急劇增大到出現擊穿現象時的反向電壓值。    
正向反向峰值電壓VRM:二極體正常工作時所允許的反向電壓峰值,通常VRM爲VP的三分之二或略小一些。 
反向電流IR:在規定的反向電壓條件下流過二極體的反向電流值。       
結電容C:電容包括電容和擴散電容,在高頻場合下使用時,要求結電容小於某一規定數值。    
最高工作頻率FM:二極體具有單向導電性的最高交流信號的頻率。       
              
開關二極體             
在脈衝數位電路中,用於接通和關斷電路的二極體叫開關二極體,它的特點是反向恢復時間短,能滿足高頻和超頻應用的需要。
開關二極體有接觸型,平面型和擴散臺面型幾種,一般IF<500毫安培的矽開關二極體,多採用全密封環氧樹脂,陶瓷片狀封裝,
如圖所示 陶瓷片狀二極管           

2.二極體的選用常識              
選用二極管要注意的幾個方面:             
(1)正向特性                
另在二極體兩端的正向電壓(P爲正、N爲負)很小時(鍺管小於0.1伏,矽管小於0.5伏),管子不導通處於“死區”狀態,當正向電壓起過
一定數值後,管子才導通,電壓再稍微增大,電流急劇暗加。不同材料的二極體,起始電壓不同,矽管爲0.5-.7伏左右,鍺管 
爲0.1-0.3左右。              
                
(2)反向特性               
  二極體兩端加上反向電壓時,反向電流很小,當反向電壓逐漸增加時,反向電流基本保持不變,這時的電流稱爲反向飽和電流.
不同材料的二極體,反向電流大小不同,矽管約爲1微安到幾十微安,鍺管則可高達數百微安,另外,反向電流受溫度變化 
的影響很大,鍺管的穩定性比矽管差。           
                
(3)擊穿特性              
  當反向電壓增加到某一數值時,反向電流急劇增大,這種現象稱爲反向擊穿。這時的反向電壓稱爲反向擊穿電壓,
不同結構、工藝和材料製成的管子,其反向擊穿電壓值差異很大,可由1伏到幾百伏,甚至高達數千伏。  
                
(4)頻率特性              
由於結電容的存在,當頻率高到某一程度時,容抗小到使PN結短路。導致二極體失去單向導電性,不能工作,PN結面積越大,
結電容也越大,越不能在高頻情況下工作。           
                
3. 二極體檢測方法              
1.普通二極體的檢測               
  二極體的極性通常在管殼上注有標記,如無標記,可用萬用表電阻檔測量其正反向電阻來判斷(一般用R×100或×1K檔)具體方法如表一。