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Fuse Resistor MELF

    Fuse  Fifure CRM 保險絲晶圓電阻

  PDF File   MELF Fusible Resistor   
 
Power Rated
Power Size Type Tolerance Resistance  (Ω) / Multiple Fusing
功率 尺寸 型號 誤差 x16 x20 x25 x30 x40 Time
1/8W 0204 W-FRM04   5.1R~2.2K 1R ~ 4.7R 0.47R~0.91R --- --- Within 60 sec.
1/4S 0204 V-FRM04   5.1R~2.2K 2.4K~10K
1/4W 0207 V-FRM07   5.1R~2.2K 1R ~ 4.7R 100m~200m 100m~180m
1/2WS 0207 U-FRM07 G= ±2% 5.1R~2.2K 2.4K~10K
1/2W 0309 U-FRM09 J = ±5% 2.2R~5K 0.47R~2R 100m-430m --- ---
1WS 0309 S-FRM09   2.2R~5K
1W 0411 S-FRM11   2.2R~2K 0.47R~2R0 100m~180m
2WS 0411 Q-FRM11   2.2R~2K
2W 0515 Q-FRM15   2.2R~1K
3WS 0515 N-FRM15   2.2R~1K
 
STANDARD RESISTANCE VALUE IN A DECADE (標準電阻器阻值)
E24 10 11 12 13 15 16 18 20 22 24 27 30 33 36 39 43 47
51 56 62 68 75 82 91  
E96 100 102 105 107 110 113 115 118 121 124 127 130 133 137 140 143 147
150 154 158 162 165 169 174 178 182 187 191 196 200 205 210 215 221
226 232 237 243 249 255 261 267 274 280 287 294 301 309 316 324 332
340 348 357 365 374 383 392 402 412 422 432 442 453 464 475 487 499
511 523 536 549 562 576 590 604 619 634 649 665 681 698 715 732 750
768 787 806 825 845 866 887 909 931 953 976  
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薄膜電阻和厚膜電阻的最大區別

 產品應用   薄膜電阻和厚膜電阻的最大區別在那裡?

薄膜電阻和厚膜電阻的最大區別
1. 膜厚的區別: 厚膜電路的膜厚一般大於10μm,薄膜的膜厚小於10μm,大多處於小於1μm.
2. 製造工藝的區別: 厚膜電路一般採用絲網印刷工藝,薄膜電阻採用的是真空蒸發,磁控濺射等工藝方法。
3. 厚膜電阻和薄膜電阻在材料和工藝上的區別直接導致了兩種電阻在性能上的差異。厚膜電阻一般精度
較差,±10%,±5%,±1%是常見精度,而薄膜電阻則可以做到±0.01%萬分之一精度,±0.1%千分之一精度等。
 同時厚膜電阻的溫度係數上很難控制,一般較大,同樣的,薄膜電阻則可以做到非常低的溫度係數至±5ppm,這樣
電阻阻值隨溫度變化非常小,阻值穩定可靠.所以薄膜電阻常用於各類儀器儀錶,醫療器械,電源,電力設備.
電子數碼產品等。 
應用                    
薄膜電阻的應用廣泛,對於任意面積遠大於厚度的情形,比如薄膜物理或者半導體產業中,常有奈米級厚度的
薄膜被沉積到晶片上,如果關心這些薄膜的電阻阻值大小時,就需使用薄膜電阻這一概念。例如,在發光二極體
的製造中,二極體PN結上作為電極而沉積的金屬的阻值很大程度影響了發光二極體的發光效率,因此需要最小化
金屬半導體的接觸電阻,利用四腳探針測量法以及傳輸線模型(Transmission Line Model)測量法,即可確定接觸
電阻的大小和金屬下方半導體層的薄膜電阻阻值。