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TB1S - TB10S

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小型化蕭特基二極管 TB1S ~ TB10S
Voltage Range: 100V-1KV 1.0A Surface Mount Glass Passivated Bridge Rectifier
PDF File TB1S - TB10S  100V-1000V 1.0A
FEATURE: MECHANICAL CHARACTERISTICS:
High reliability Case: TB-S Molded Plastic
Low forward voltage drop Weight: 0.10 Grams (approx)
High surge current capability Marking:   Type number
Glass passivated die construction Polarity:  As marked on case
Ultra-slim 1.5mm max. case height Terminals: Plated leads solder able per
Designed for surface mount application MIL-STD-202, Method 208.
Plastic Material - UL Recognition Flammability Lead Free for Rohm / Lead free version
Classification 94V-0 and "LF" suffix to part number.
Maximum Ratings and Data specification @TA=25 unless otherwise specified
SINLOON
Sigle, phase half wave 60Hz resistive or inductive load, for capacitive load, derate current by 20%.
Parameter at Tamb = 25 Symbol Part Code Unit
TB1S TB2S TB4S TB6S TB8S TB10S
DC Blocking Voltage: VR 100 200 400 600 800 1000 V
Peak Repetitive Reverse Voltage VRRM
Working Peak Reverse Voltage VRWM
RMS Reverse Voltage VR(RMS) 70 140 280 420 560 700 V
Average Rectified Output Current @TA=25 (1) Io 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 A
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms Single IFSM 30 30 30 30 30 30 A
half sine-wave superimposed on rated load (JEDC Method)
Forward Voltage Diode @IF = 0.4A VFM 0.95 0.95 0.95 0.95 0.95 0.95 V
@IF = 1.0A 1.10 1.10 1.10 1.10 1.10 1.10
Peak Reverse Current        @TA = 25 IRM 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 μA
At Rated DC Blocking Voltage @TA = 125 500 500 500 500 500 500
Typical Junction Capacitance per leg (2) Cj 10.0 10.0 10.0 10.0 10.0 10.0 pF
Thermal resistance junction to ambient (1) RθJA 62.5 62.5 62.5 62.5 62.5 62.5 /W
Thermal resistance junction to lead (3) 25 25 25 25 25 25
Operating and Storage Temperature Range TJ,TSTG. -50 to +150
Note1 : Mounted on aluminum substrate PCB with 1.3x1.3mm pad areas. Return to Schottky Diode First Page
Note2: Measure at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC
Note3: Mounted on glass epoxy PCB with 1.3x1.3mm pad areas.

Diode

 
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USB Type-C 全程數碼無損音樂耳機

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USB Type-C

全程數碼無損音樂耳機

 

USB Type-c

USB Type-C她能同時完成數據傳輸,快速充電及外接耳機三種用途。有別於現在普遍手機外接輸出/輸入端口。

全程數字無損音頻標準CDLA,以數字信號90db音頻經過全程處理之後無損輸出逹到了89db,實現了[高清音訊]的原音效果。

由於手機廠商希望能夠使手機更薄,簡化設備上的端子,故乾脆把手機上唯二的端子再次整合,取消3.5mm耳機接口,讓手機在外觀上僅剩下一個通用的數位介面,這也是在手機設計極度追求輕、薄之後的發展。

在傳統手機發聲的結構之中,是由手機內負責將數位訊號轉換為類比的 DAC ( Digital Analog Converter ) 先將數位檔案變成類比的訊號,然後再經過擴大晶片將訊號放大之後,輸出給 3.5mm 的端子,把已經轉換成類比的訊號傳遞到耳機的單體之後發出聲音。

目前手機的做法有幾種,其一是直接透過處理器整合的數位類比轉換架構,把類比聲音輸出給擴大晶片,另外就是透過獨立的數位類比轉換晶片再輸出給擴大晶片,還有一種是輸出把數位類比轉換與擴大整合的晶片,然而無論哪一種架構,先經過數位類比轉換後擴大的過程都是必備的。

無論是 Lightning 耳機,或是 USB Type-C 介面,都是透過數位的方式連接,並未具備類比輸出的功能(雖蘋果早期 30pin 是可轉換為類比輸出,但 Lightning 已經取消類比輸出),不過在耳機發出的聲音卻是類比的,到底要如何驅動以類比方式發聲的單體?簡單的說,就是把原本在手機內部的數位類比轉換晶片換到耳機上進行。

簡單的說,驅動耳機的程序不變,改變的只是結構放置的位置,把原本的數位類比晶片與擴大晶片藏到數位耳機的設計之中,簡言之相較原本的 3.5mm 耳機,數位耳機的成本會更高,尤其是 Lightning USB Type-C 介面這兩種標榜正反皆可插入的設計。

由於 Lightning USB Type-C 考慮到使用便利與乘載更高的數據量、供電量,所以把接點變成雙面,同時 Lightning USB Type-C 需要正反面皆可使用,相較僅單面接點並有指向性的 microUSB ,需要多一顆溝通與轉換晶片,在設備插上去之後與手機進行溝通,確認輸出的訊號點一致,並在最後把訊號整合,才能正反面皆可使用,而這僅是端子的成本。

另外就是在耳機端需要多數位類比轉換晶片與放大結構,且因為不能增加太多耳機重量,所以一定是使用手機內部輸出的電力,不會額外加裝電池設計,所以挑選的數位類比轉換晶片與擴大晶片需要符合低電壓啟動與低電流運作,避免手機端供電不足造成耳機無法正常運作。

此外,無論是 Lightning 或是 USB Type-C ,相較於手機內建的耳機驅動結構,都多了一個需要將數位音訊訊號先轉換為 Lightning USB 訊號的過程,所以數位耳機需要,再多一顆解碼晶片把接收到的訊號轉為 SPDIF ,否則目前多數的數位類比轉換晶片是無法直接辨識 USB Lightning 訊號的。

但其實說穿了,無論是 Lightning 耳機,或是 USB Type-C 耳機,在意義上與現行市面上能買到的手機用 DAC ( Digital Analog Converter ) 整合擴大機是類似的意思,差別只在於這些數位耳機是直接把耳機與數位擴大機整合,同時在電力與尺寸有較嚴苛的需求。