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金屬膜晶圓電阻

MELF Resistor 金屬膜晶圓電阻

PDF File MELF Metal Film Resistor - MMF Series

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SMD enabled structure MMF Resistor are widely applied in high fidelity stereo
Excellent Solder ability Termination Electronic calculators, Computers, Testing instruments,
Tolerance precision:  ±1%. ±5%. Meters, Auto controlled equipment, Military devices and
Advanced Metal  Film technology. Aerospace equipment.
Lead (Pb)-free and RoHS compliant . (MMF金屬膜晶圓電阻器採用陶瓷棒經過特殊處理的金屬膜塗層,
Pure Sn termination on Ni barrier layer. 其瓷棒的兩端鍍有貴重金屬,以確保低噪音,低溫差。)
Conformal Multi-layer Coating Humidity
Force fitted steel caps, tin plated on nickel barrier.
Tolerance ±5% is 3-band coded, ±1% and under is 4-band codes
Compatible with lead (Pb)-free and lead containing soldering processes.

 

 

DIMENSION Unit: mm SINLOON®
Power Size Type L ΦD D1 D2
1/8WS 0102 S-MMF02 2.0±0.1 1.3±0.1 1.4±0.05 0.55±0.1
1/8W 0204 W-MMF04 3.5±0.2 1.45±0.1 1.6±0.2 0.70±0.1
1/4WS 0204 V-MMF04S 3.5±0.2 1.45±0.1 1.6±0.2 0.70±0.1
1/4W 0207 V-MMF07 5.7±0.2 2.2±0.1 2.4±0.3 0.80±0.2
1/2WS 0207 U-MMF07S 5.7±0.2 2.2±0.1 2.4±0.3 0.80±0.2
1WS 0207 S-MMF07S 5.7±0.2 2.2±0.1 2.4±0.3 0.80±0.2
1WS 0309 S-MMF09S 8.5±0.3 3.0±0.3 3.3±0.3 1.70±0.2
2WS 0411 Q-MMF11S 10.5±0.3 4.0±0.3 4.3±0.2 2.30±0.2
3WS 0515 N-MMF15S 14.5±0.3 4.5±0.3 4.8±0.2 2.30±0.2
RATED SPECIFICATION
Type Size Rating Maxinmun Voltage Resistance Range (Ω) T.C.R.
Power Working Overload ±1% ±5% ()
S-MMF02 0102 1/8WS 150V 300V 1R ~ 1M 0.22R~2M ±15ppm
W-MMF04 0204 1/8W 150V 300V 1R ~ 1M 0.22R~2M ±25ppm
V-MMF04S 0204 1/4WS 200V 400V 1R ~ 1M 0.5R~2M ±50ppm
V-MMF07 0207 1/4W 200V 400V 1R ~ 5M 0.22R~5M ±100ppm
U-MMF07S 0207 1/2WS 300V 600V 1R ~ 5M 0.22R~5M
S-MMF07S 0207 1WS 400V 600V 1R ~ 5M 0.5R~2M
S-MMF09S 0309 1WS 500V 1KV 1R ~ 1M 0.1R~1M ±50ppm
Q-MMF11S 0411 2WS 500V 1KV 1R ~ 1M 0.1R~1M ±100ppm
N-MMF15S 0515 3WS 500V 1KV 1R ~ 1M 0.1R~1M

高壓電阻

 

最近更新在 週六, 21 十一月 2015 02:37  
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Newsflash

薄膜電阻和厚膜電阻的最大區別

 產品應用   薄膜電阻和厚膜電阻的最大區別在那裡?

薄膜電阻和厚膜電阻的最大區別
1. 膜厚的區別: 厚膜電路的膜厚一般大於10μm,薄膜的膜厚小於10μm,大多處於小於1μm.
2. 製造工藝的區別: 厚膜電路一般採用絲網印刷工藝,薄膜電阻採用的是真空蒸發,磁控濺射等工藝方法。
3. 厚膜電阻和薄膜電阻在材料和工藝上的區別直接導致了兩種電阻在性能上的差異。厚膜電阻一般精度
較差,±10%,±5%,±1%是常見精度,而薄膜電阻則可以做到±0.01%萬分之一精度,±0.1%千分之一精度等。
 同時厚膜電阻的溫度係數上很難控制,一般較大,同樣的,薄膜電阻則可以做到非常低的溫度係數至±5ppm,這樣
電阻阻值隨溫度變化非常小,阻值穩定可靠.所以薄膜電阻常用於各類儀器儀錶,醫療器械,電源,電力設備.
電子數碼產品等。 
應用                    
薄膜電阻的應用廣泛,對於任意面積遠大於厚度的情形,比如薄膜物理或者半導體產業中,常有奈米級厚度的
薄膜被沉積到晶片上,如果關心這些薄膜的電阻阻值大小時,就需使用薄膜電阻這一概念。例如,在發光二極體
的製造中,二極體PN結上作為電極而沉積的金屬的阻值很大程度影響了發光二極體的發光效率,因此需要最小化
金屬半導體的接觸電阻,利用四腳探針測量法以及傳輸線模型(Transmission Line Model)測量法,即可確定接觸
電阻的大小和金屬下方半導體層的薄膜電阻阻值。