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Schottky Diode (肖特基貼片二極管)

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1 DF500S-DF10S DF-S 1A 50V-1000V 32542
2 TB1S - TB10S TB-S 1A 100V-1KV 36453
3 SD103AW-SD103CW SOD-123 0.35A 20V-40V 43950
4 SD101AW-SD101CW SOD-123 0.15A 20V-60V 44001
5 SS0520 - SS0540 SOD-123 0.5A 20V-40V 46577
6 MMBD717WS SMA/DO-214AC 0.2A 20V 33183
7 SS12 - S100 SMA 1A 20V-100V 60087
8 GS1000FL-GS2010FL SOD-123FL 1A 50V-1KV 35307
9 SS1020FL - SS10100FL SOD-123FL 1A 20V-100V 57402
10 SR22-SR210 SMA/DO-214AC 2A 20V-100V 35368
11 SK32-S310 SMC/DO-214AB 3A 20V-100V 31932
12 SS32-SS310 SMB/DO-214AA 3A 20V-100V 31654
13 SK52-S510 SMC 5A 20V-100V 33704
14 GS1A-GS1M SMA/DO-214AC 1A 50V-1KV 36445
15 SS0520FL - SS0540FL SOD-123FL 0.5A 20V-40V 30604
16 Schottky Barrier Diode Schottky Diode 33772
17 BAS40W SOD-323 0.2A 40V 36639
18 BAS40WS SOD-323 0.2A 40V 36590
19 BAS70 SOT-23 0.2A 70V 36947
20 BAS70W SOD-323 0.2A 70V 37355
 
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LED 芯片封裝技術
產品應用 LED 芯片封裝技術
基板芯片封裝工藝技術有兩種形式: 一種是板上芯片封裝(COB)技術,它採用了絲焊的
方法在硅片和基底之間用引線直接建立電極連接,並用樹脂覆蓋保護以确保它的可靠性。
但它的封裝密度遠不及倒片焊封裝技術。
- 另一種是倒裝芯片(FLIP CHIP)技術,一種無引腳錶面封裝結構,一般含有電路單元,
設計用於通過適當數量的位於其面上的錫球,在電氣上和機械上連接於電路,然後將芯片
翻轉加熱利用熔接的錫鉛球與基板結合,此封裝熔接技術替換了常規打線連接電極的方法
- ,將漸會是未來的LED芯片封裝主流。
與COB相比, FLIP CHIP封裝形式的芯片結構和輸入/出(I/O)端(焊鍚球)方向朝下,
原於I/O引端分佈於整個芯片錶面,故在封裝密度和處理速度上 FLIP CHIP 己達最佳效果
- ,特別是它可以採用SMT技術的手段來加工,因此是LED芯片封裝技術及高蜜度安裝的最
終使用方法。FLIP CHIP 封裝技術與傳統的COB的引線結合工藝相比具有許多明顯的
優點,包括優越的電學及熱學性能,高I/O引腳數,封裝尺寸更小。